MTI  |  SKU: GAUa100D06C2US5

Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopado Semi-Insulado, 100mm D x 0.6 mm, 2SP

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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopado Semi-Insulado, 100mm D x 0.6 mm, 2SP

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)
  • Plano: (01-1) .(011)
  • Tamaño: 100mm dia x 0.6mm
  • Pulido: dos caras pulidas
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Dopaje: no dopado
  • Tipo de conductor: Semi-aislante
  • Resistividad: (1,41-4,4)E8 Ohm.cm
  • Movilidad: 3240-6000 cm2 / v.s.
  • EPD: <5000/cm2
  • Superficie y embalaje listos para EPI

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