MTI  |  SKU: GAUa100D06C1US5

Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 100mm D x0.6 mm, 1SP

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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 100mm D x0.6 mm, 1SP

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)
  • Plano: (01-1) .(011)
  • Tamaño: 100 mm dia x 0.6mm
  • Pulido: una cara pulida
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Dopaje: no dopado
  • Tipo de conductor: Semi-aislante
  • Resistividad: (0,39-4,75)E8 Ohm.cm
  • Movilidad: 4120-6820 cm^2/v.s.
  • EPD: <5000/cm2
  • Superficie y embalaje listos para EPI

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