MTI  |  SKU: GAUa50D05C1US5

Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 1SP

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Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 1SP

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)+/-0,5 grados
  • Tamaño: 2" dia x 0.5mm
  • Pulido: una cara pulida
  • Dopaje: no dopado
  • Tipo de conductor: Semi-aislante
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Movilidad: 4470-6540 cm^2/V.S
  • Resistividad (0.96-5.34) x 10^8 ohm.cm
  • EPD: <5000cm^2
  • Superficie y embalaje listos para EPI

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