MTI | SKU:
GAUa76D05C2US5
Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas semi-aisladas 3 "D x0.5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5
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Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas semi-aisladas 3 "D x0.5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5
MTI
Oblea de cristal único de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 3" dia x 0.5mm
Pulido: ambas caras pulidas;
Dopado: no dopado
Tipo de conductor: Semiaislante
Resistividad: ( 0,6-4,04)x10^8Ohm.cm
Movilidad: 4510-6380cm^2/V.S
EPD: <5000cm^-2
PrimPrimary Flat: EJ(0-1-1)+-1 grado,22+-1.0mm
Plano menor: EJ(0-1-1)+-1 grado, 11+-1,0mm
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Movilidad: 4510-6380cm^2/V.S
EPD: <5000cm^-2
PrimPrimary Flat: EJ(0-1-1)+-1 grado,22+-1.0mm
Plano menor: EJ(0-1-1)+-1 grado, 11+-1,0mm
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