MTI  |  SKU: GAZna50D05C1US5

Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado tipo P, , 2 "x0,5 mm, 1sp, (5,17-9,38) x 10^17 /cm^3

€343,85

Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado tipo P, , 2 "x0,5 mm, 1sp, (5,17-9,38) x 10^17 /cm^3

MTI

Oblea de cristal único de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 2" dia x 0.5mm
Pulido: una cara pulida
Dopado: Zn dopado
Tipo de conductor: S-C-P
Concentración de portadores: (5,17-9,38) x 10^17 /cm^3

Movilidad: 1 168-188 cm^2/V.S

EPD: <5000/cm^2

Resistividad: (3,96-6,67)x10^-2 ohm.cm

Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm

Nota: Obleas preparadas para EPI


Productos relacionados

Otros GaAs
InSb

 		Otros InAs

 		InP


GaSb

 		Caja de obleas

 Recubridor de película

 Hornos RTP



Volver al principio