MTI  |  SKU: GAZna50D05C2US5

Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado tipo P, , 2 "x0,5 mm, 2sp, (8,62-9,38) x 10^17 /cm^3

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Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado tipo P, , 2 "x0,5 mm, 2sp, (8,62-9,38) x 10^17 /cm^3

MTI

Oblea de cristal único de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 2" dia x 0.5mm
Pulido: dos caras pulidas
Dopado: Zn dopado
Tipo de conductor: S-C-P
Concentración portadora: (8,62-9,38) x 10^17 /cm^3

Movilidad: 168-173 cm^2/V.S

EPD: <5000/cm^2

Resistividad: (3,96-4,2)x10^-2 ohm.cm

Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm

Nota: Obleas preparadas para EPI

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