Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100), dopado con Zn, tipo P, 3 "x0,5 mm, 1sp

Oblea de cristal único de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 3" dia x 0.5mm
Pulido: una cara pulida
Dopado: Zn dopado
Tipo de conductor: S-C-P
Concentración de portadores: (5,01-6,30) x 10^17 /cm^3
Movilidad: 184-200cm^2/V.S
EPD: <5000/cm^2

Resistividad: (5,14-6,67)x10^-2 ohm.cm
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
Nota: obleas preparadas para EPI

Productos relacionados

Otros GaAs

InSb

Otros InAs

InP

GaSb

Caja de obleas

Recubridora de película

Hornos RTP