MTI  |  SKU: GAZna50D035C1US5

Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado Ptype, , 2 "x0,35 mm, 1sp, CC: (2,67-3,27) x 10^18 /cm^3

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Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado Ptype, , 2 "x0,35 mm, 1sp, CC: (2,67-3,27) x 10^18 /cm^3

MTI

Oblea de cristal único de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 2" dia x 0.35mm
Pulido: una cara pulida
Dopado: Zn dopado
Tipo de conductor: S-C-P
Concentración de portadores: (2,67-3,27) x 10^18 /cm^3

Movilidad: 116-125 cm^2/V.S

EPD: <5000/cm^2

Resistividad: (1,64-1,88)x10^-2 ohm.cm

Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm

Nota: Obleas preparadas para EPI

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