GaN ,tipo N ,dopado con Si (0001) 10x10,5x0,35mm,1sp- Cara Ga pulida

Los sustratos monocristalinos de GaN se fabrican mediante un método basado en la epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La gran velocidad de crecimiento permite el crecimiento de grosores de oblea autoportantes en un periodo de tiempo conveniente.

Especificaciones del sustrato

• Orientación: eje c (0001) +/- 1,0 ^o
• Espesor nominal 350+/- 25 micras
• Dimensión: 10 mm x 10,5 mm +/- 0,5 mm
• Arco <10micras
• TTV <10 micras
• Tipo de conducción Tipo N
• Resistividad <0,05ohm-cm
• Densidad de dislocación ^<5x106cm-2
• Densidad de macrodefectos <=5 cm-2
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga)RMS <0,3 nm
• Acabado de la superficie posterior Rectificado fino
• Superficie útil : >90% ( exclusión de bordes)

Productosrelacionados

Otros zafiros	GaN	Plantilla AlN	ZnO
Rotulador de diamante	Lápiz de vacío	Contenedores para obleas	Recubridores de película