Plantilla GaN sobre Zafiro (0001), tipo N sin dopar, 2" Dia. x 0.43 - 0.5mm, 1sp, Pelicula GaN:4 - 5 micron

-La plantilla de GaN sobre zafiro se fabrica mediante un método basado en la epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La plantilla de GaN es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de GaN.

Especificaciones

• Tamaños Redondo de 2
• Dimensiones 50,8 mm +/- 0,25 mm
• Sustrato Zafiro, Orientación eje c (0001) +/- 1.0 ^o
  
• Espesor del sustrato de zafiro: 0,43mm+/-0,025mm
  Tipo de conducción: Tipo N,
• Resistividad < 0,5 Ohm-cm
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga) As-grown
• Acabado de la superficie posterior Acabado de zafiro tal como se recibe
• Superficie útil >90
• Área de exclusión de bordes 1mm
  Densidad de dislocación: <5x10^8 cm^?2
  
• Envase Envase de oblea individual
• Grosor de la capa de GaN 4-5 micras , (+/- 10%) con rugosidad: ~5 nm RMS

Datos relacionados

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