Plantilla de GaN sobre zafiro (0001), tipo N, sin dopar, 2 "x 0,5mm,1sp Película de GaN:30um, (Grado de Producción) - FmGaNonALC50D05C1FT30um

-La plantilla de GaN sobre zafiro se fabrica mediante un método basado en la epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La plantilla de GaN es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de GaN.

Especificaciones:
Grado de producción

• Tamaños Redondo de 2
• Dimensiones 50,8 mm +/- 0,25 mm
• Sustrato Zafiro, plano C-(0001) con desviación de 0,2 grados hacia el plano M
• Tipo de conducción: Tipo N,
• Resistividad :N/A
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga) As-grown
• Acabado de la superficie posterior Acabado de zafiro tal como se recibe
• Superficie útil >90
• Área de exclusión de bordes 1 mm
• Envase Envase de oblea individual
• Espesor de la capa de GaN : 30 micras , (+/- 10%) con rugosidad: ~10 nm RMS medido por el Wyko (interferómetro de luz blanca) para un área de 50 umx50um

Densidad de macrodefectos: <=5 cm^-2
Desajuste de la constante de red: 14% de desajuste
Densidad de dislocación: 5x10^9/ cm^2

Datos relacionados

• Haga clic aquí para ver XRD Curva de balanceo de la plantilla de GaN
• Haga clic aquí para ver Dislocación vs Espesor de la plantilla de GaN
• Haga clic aquí para ver RMS de la plantilla de GaN

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