Plantilla GaN sobre Zafiro, Plano C,10x10 x0,5 mm , Film: 30 micras de espesor

La plantilla de GaN sobre zafiro se fabrica mediante un método basado en la epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La plantilla de GaN es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de GaN.

Especificaciones

• Tamaños 10mmx10mm x0,5mm
• Sustrato Zafiro, Orientación C (0001) +/- 1,0 ^o
• Tipo de conducción: tipo n
• Resistividad < 0,5 Ohm-cm
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga) As-grown
• Acabado de la superficie posterior Acabado de zafiro tal como se recibe
• Superficie útil >90
• Área de exclusión de bordes 1 mm
• Envase Envase de oblea individual
• Espesor de la capa de GaN 30 micras , (+/- 10%) con rugosidad: ~10 nm RMS medida por el Wyko (interferómetro de luz blanca) para un área de 50 umx50 um

Datos relacionados

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