Plantilla de GaN sobre Zafiro(0001) 2 "x 0.5mm,1sp ,Película de GaN: 20um ,Semi-aislada--Grado de Investigación

La plantilla de GaN sobre zafiro se fabrica mediante un método basado en la epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La plantilla de GaN es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de GaN.

Especificaciones

Grado de investigación

• Tamaños 2" Redondo
• Dimensiones 50mm +/- 2mm
• Sustrato Zafiro, Orientación eje c (0001) +/- 1,0 ^o
• Tipo de conducción: tipo n
• Resistividad > 1E6 Ohm-cm
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga) As-grown
• Acabado de la superficie posterior Acabado de zafiro tal como se recibe
• Superficie útil >90
• Área de exclusión de bordes 1 mm
• Envase Envase de oblea individual
• Espesor de la capa de GaN 20 micras , (+/- 10%)

Datos relacionados

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• Haga clic aquí para ver Dislocación vs Espesor de la plantilla de GaN

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