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MTI | SKU:
GSUa50D05C1US
Oblea de GaSb (100), sin dopar, 2 "x0,5 mm ,1sp
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Oblea de GaSb (100), sin dopar, 2 "x0,5 mm ,1sp
MTI
Especificaciones de la oblea:.
- Tamaño: 2" diámetro x 0.5mm,
- Orientación: (100)
- Dopping: no dopado,
- Tipo de conductor: Tipo P.
- Pulido: una cara pulida por CMP
- Embalaje: sala blanca de clase 1000 en un solo contenedor de oblea
- Acabado superficial (RMS o Ra) : < 5A
- Estructura cristalina: cúbica a = 6,095 Å
- Densidad 5,619 g/cm3
- Punto de fusión 710 oC
- Cultivado mediante una técnica especial de LEC EPD :<10^4/cm2.
- Concentración de portadores: ( 1-3)x10^17 cm^-3
- Movilidad: 600-700 cm^2/Vs
- Expansión térmica: 6,1 x 10 -6 /oK
- Conductividad térmica 270 mW / cm.k a 300K
Dopante | Tipo | Concentración de portador ( cm-3) | Movilidad ( cm2/V.Sec) | Resistividad ( ohm-cm ) | EPD (cm-2) |
Sin dopar | P | 1.0~2.0 x1017 | 600 ~ 800 | ~0.1 | <10000 |
Zn | >P+ | 2.0~5.0 x1018 | 300 ~ 500 | ~0.004 | <10000 |
Te | N | 2.0~6.0 x1017 | 2500 ~ 3500 | ~0.05 | <10000 |
Alta resistividad | P o N | 1.0~2.0 x1016 | 460 | ~ 1.0 | <10000 |
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