MTI | SKU:
Gesbc101005S1R0005US
Ge (111), plano-(1-10), tipo N, dopado con Sb, 10x10x0,5mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm
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Ge (111), plano-(1-10), tipo N, dopado con Sb, 10x10x0,5mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm
MTI
Especificaciones
- Método de cultivo: CZ
- Tamaño de la oblea: 10x10x0,5 mm
- Pulido de superficie: Una cara epi pulido
- Orientación: (111)
- Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
- Dopado: Dopado con Sb
- Tipo de conductor: Tipo N
- Resistividad: 0,005-0,01 Ohms/cm
- EPD: N/A
- Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
