Ge Sustrato monocristalino, tipo N dopado con Sb (100) 10x10x0,45mm 1sp, R<0,009ohm.cm

Especificación de obleas de Ge

• Método de cultivo: CZ
• Tamaño de la oblea: 10 x 10 x0,45 mm
• Pulido de la superficie: una cara epi pulido
• Orientación: (100)
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A(Por AFM)
• Dopado: Sb dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: <0,009 Ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
  
  
  

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