Sustrato monocristalino de Ge, tipo P, dopado con Ga (100), 10x10x0,5mm 2sp, R:0,1-0,5 ohm.cm

Especificación de obleas de Ge

• Método de cultivo: CZ
• Tamaño de la oblea: 10 x 10 x0,5 mm
• Pulido de la superficie: dos lados epi pulido
• Orientación: (100)
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A(Por AFM)
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 0,1-0,5 Ohmios/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor para obleas
  
  

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