Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x3 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm

Especificación de obleas de Ge

• Método de cultivo: CZ
• Tamaño de la oblea: 10 x 3 x0,5 mm
• Pulido de la superficie: dos lados epi pulido
• Orientación: (100)+/- 2 grados
• Rugosidad superficial: RMS o Ra:~ 10 A(Por AFM)
• Dopado: Ga dopado
• Tipo de conductor: Tipo P
• Resistividad: 10-15 Ohms/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor para obleas
  
  

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