Sustrato de Ge (110) 10x10x 0,4-0,5 mm, 2 SP, tipo N sin dopar, R>50 ohm.cm - GEUe101005S2R50

Especificaciones

• Método de cultivo: CZ
• Tamaño de la oblea: 10x10x0,4-0,5 mm
• Pulido de superficie: pulido óptico por dos lados
• Orientación: (110)
• Acabado superficial (RMS o Ra) : < 30A
• Dopado: Sin dopar
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: >50 ohmios/cm
• EPD: N/A
• Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
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