Sustrato de Ge (110) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, tipo N Sin dopar, R>50 ohm.cm

Especificaciones

• Método de cultivo: CZ
• Tamaño de la oblea: 10x10x0,5 mm
• Pulido superficial: pulido óptico por un lado
• Orientación: (110)
• Acabado superficial (RMS o Ra) : < 30A
• Dopado: Sin dopar
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: > 50 Ohm.cm
• EPD: N/A
• Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
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