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GESbe101005S1R1
Sustrato de Ge (110) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, dopado con Sb ,R:1-5 ohm.cm
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Sustrato de Ge (110) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, dopado con Sb ,R:1-5 ohm.cm
MTI
Especificaciones
- Método de cultivo: CZ
- Tamaño de la oblea: 10x10x0,5 mm
- Pulido superficial: pulido óptico por un lado
- Orientación: (110)
- Acabado superficial (RMS o Ra) : < 30A
- Dopado: Dopado con Sb
- Tipo de conductor: Tipo N
- Resistividad: 1-5 Ohms/cm
- EPD: N/A
- Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
