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GEUe100505S2R50
Sustrato de Ge (110) 10x5x 0,5 mm, 2 SP, tipo N Sin dopar ,R>50 ohm.cm
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Sustrato de Ge (110) 10x5x 0,5 mm, 2 SP, tipo N Sin dopar ,R>50 ohm.cm
MTI
Especificaciones
- Método de cultivo: CZ
- Tamaño de la oblea: 10x5x0,5 mm
- Pulido de superficie: pulido óptico por dos lados
- Orientación: (110)
- Acabado superficial (RMS o Ra) : < 30A
- Dopado: Sin dopar
- Tipo de conductor: Tipo N
- Resistividad: > 50 Ohms/cm
- EPD: N/A
- Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
