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GEUc101005S1R50
Sustrato de Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, tipo N Sin dopar .R>50 ohm.cm
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Sustrato de Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, tipo N Sin dopar .R>50 ohm.cm
MTI
Especificaciones
- Método de cultivo: CZ
- Tamaño de la oblea: 10x10x0,5 mm
- Pulido de la superficie: un lado epi pulido
- Orientación: (111)
- Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
- Dopado: Sin dopar
- Tipo de conductor: Tipo N
- Resistividad: >50 ohmios/cm
- EPD: N/A
- Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
