Sustrato de Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 2 SP, dopado con Sb, 0,005-0,01 Ohm.cm - GESbc101005S2R0005

Especificaciones

• Método de cultivo: CZ
• Tamaño de la oblea: 10x10x0,5 mm
• Pulido de la superficie: Dos lados epi pulido
• Orientación: (111)
• Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
• Dopado: Dopado con Sb
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0,005-0,01 Ohms/cm
• EPD: N/A
• Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
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