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MTI | SKU:
GEGac050505S1R0005
Sustrato de Ge (111) 5 x 5 x 0,5 mm, 1 SP, tipo P ,dopado con Ga ,R: 0,005-0,01 ohm.cm
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Sustrato de Ge (111) 5 x 5 x 0,5 mm, 1 SP, tipo P ,dopado con Ga ,R: 0,005-0,01 ohm.cm
MTI
Especificaciones
- Método de cultivo: CZ
- Tamaño de la oblea: 5x5x0,5 mm
- Pulido superficial: pulido epi por un lado
- Orientación: (111)
- Rugosidad superficial: < 8 A ( por AFM)
- Dopado: Dopado con Ga
- Tipo de conductor: Tipo P
- Resistividad: 0,005-0,01 Ohms/cm
- EPD: N/A
- Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
