MTI  |  SKU: IAZna101005S1

InAs (100), tipo P, dopado con Zn 10x10 x 0,5 mm, una cara pulida

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InAs (100), tipo P, dopado con Zn 10x10 x 0,5 mm, una cara pulida

MTI

  • Oblea de InAs
  • Tipo P, dopado con Zn
  • Tamaño: 10x10x0.5mm
  • Orientación: <100> +/-0.50
  • Pulido: pulido por una cara
  • Resistividades: 0.0084 ohm-cm
  • Embalaje: en sala blanca de clase 1000 con contenedor para obleas

Propiedades

  • Método de crecimiento LEC
  • Orientación(100) +/- 0,5 o
  • Orientación Plana SEMI
  • Dopado Zn dopado
  • Tipo de conductividad Tipo P
  • Concentración de portadores 5,3E18/ cm3
  • Movilidad 126 cm2/V.S
  • Resistividad 0.0084 ohm-cm
  • EPD 1,2E4 / cm 2

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