MTI  |  SKU: IAZna50D05C1US5

InAs (100), tipo P, dopado con Zn 2" diá. x 0,5 mm, una cara pulida - IAZna50D05C1US5

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InAs (100), tipo P, dopado con Zn 2" diá. x 0,5 mm, una cara pulida - IAZna50D05C1US5

MTI

Oblea InAs de 2" (tipo P)

  • Oblea de InAs de 2
  • Tipo P, dopado con Zn
  • Tamaño: 2" dia x0. 5 mm +/-20 micras
  • Orientación: <100> +/-0.50
  • Pulido: pulido por un lado
  • Embalaje: en sala blanca de clase 1000 con contenedor para obleas

Propiedades

  • Método de crecimiento LEC
  • Orientación (100) +/- 0,5 o
  • Orientación Plano <110> <-110>
  • Dopado Zn dopado
  • Tipo de conductividad Tipo P
  • Concentración de portadores (3-7)E18/ cm3
  • Movilidad 100-500 cm2/V.S
  • EPD <10000 / cm 2


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