MTI  |  SKU: IASna101005S1

InAs, (100), dopado con Sn, tipo N, 10m-10m x10mm x 0,5mm 1sp - IASna101005S1

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InAs, (100), dopado con Sn, tipo N, 10m-10m x10mm x 0,5mm 1sp - IASna101005S1

MTI

  • Método de crecimiento LEC
  • Orientación (100)± 0,5 Deg
  • Orientación PlanaN/A
  • DopadoSn dopado
  • Tipo de conductividadTipo N
  • Concentración de portadores (3-10)E17cm3
  • Movilidad >11000 cm2/V.S
  • EPD <15000 / cm 2
  • Espesor estándar 500 ±20 mm
  • Tamaño 10x10 mm
  • Lado polaco



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