MTI  |  SKU: IAUa50D05C2US

InAs (100), No dopado, 2" diá. x 0,5 mm, dos caras pulidas

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InAs (100), No dopado, 2" diá. x 0,5 mm, dos caras pulidas

MTI

Oblea de InAs de 2" (tipo N)

  • 2" InAs wafer: (Sin dopar, tipo N)
  • Tamaño: 2" dia x 500 micras +/-25 micras
  • Orientación: <100> +/-0.50
  • Pulido: dos caras pulidas
  • Método de crecimiento: LEC
  • Orientación plana mayor: <1-10>
  • Orientación plana menor : <0-11>
  • Movilidad: (18000-20000) cm^2/V.s
  • Concentración de portadores: < 3 E16 cm^-3
  • EPD: <5000 /cm^2
  • Embalaje: en sala blanca de clase 1000 con contenedor para obleas


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