InAs (111)A, tipo N, no dopado, 2" de diámetro x 0,45mm, 1sp

• Método de crecimiento LEC
• Orientación (111)A ± 0.5 Deg
• Orientación Plano SEMI
• Dopado Sin dopar
• Tipo de conductividad Tipo N
• Concentración del portador style="color: #000000; font-family: arial, helvetica, sans-serif; font-size: small; text-indent: -27.35pt;"> < 2E16/ ^cm-3
• Movilidad >23400 ^cm2/V.S
• EPD <10000 / cm ²
• Resistividad: 1,3x10^-2 ohm.cm
• Espesor estándar 450 ± 25 mm
• Diámetro estándar 2± 0,4 mm
• Pulido una cara

Productos relacionados

Otros InAs

InSb

InP

GaAs

GaSb

Caja de obleas

Recubridor de película

Hornos RTP