MTI  |  SKU: IAZncA50D045C1US5

InAs (111)A, tipo P, dopado con Zn 2" diá. x 0,45 mm, una cara pulida

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InAs (111)A, tipo P, dopado con Zn 2" diá. x 0,45 mm, una cara pulida

MTI

Oblea InAs de 2" (tipo P)

  • Oblea de InAs de 2
  • Tipo P, dopado con Zn
  • Tamaño: 2" dia x 450 micras +/-20 micras
  • Orientación: <111>A
  • Pulido: pulido por una cara
  • Resistividades: 5.1x10^-2 ohm-cm
  • Embalaje: en sala blanca de clase 1000 con contenedor para obleas

Propiedades

  • Método de crecimiento LEC
  • Orientación (111) A
  • Orientación Plana SEMI
  • Dopado Zn dopado
  • Tipo de conductividad Tipo P
  • Concentración de portadores 6.4E17/ cm3
  • Movilidad 192 cm2/V.S
  • Resistividad 5,1x10^-2 Ohm-Cm
  • EPD 1,9E4 / cm 2


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