InAs (111)A, no dopado, tipo N, 5mm x5mm x 0,45mm 1sp

• • Método de crecimiento LEC
  • Orientación (111)A ± 0,5 Deg
  • Orientación Plana SEMI
  • Dopado No dopado
  • Tipo de conductividad Tipo N
  • Concentración de portadores <2E16 / ^cm-3
  • Movilidad >23400 ^cm2/V.S
  • EPD <10000 / cm ²
  • Resistividad: 1,3x10^-2 ohm.cm
  • Espesor estándar 450 ± 25 mm
  • Tamaño: 5 mm x 5mm
  • Pulido una cara

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