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MTI | SKU:
IPSa50D05C1US
InP-(VGF- Grown) (100) S dopado, 2 "x0.5mm wafer, 1sp
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InP-(VGF- Grown) (100) S dopado, 2 "x0.5mm wafer, 1sp
MTI
Oblea monocristalina de InP
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 2" de diámetro x 0,5 mm
Dopado: Dopado S
Tipo de conducción: S-C-N
Pulido: una cara pulida
Resistividad: (1,8-2,0)x10^-3 ohm.cm
Movilidad: 1850-1870 cmE2/V.S
EPD: <2000 /cmE2
Concerntración portadora: (1,7-1,9) x10^18 /cm^3
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
Orientación: (100)
Tamaño: 2" de diámetro x 0,5 mm
Dopado: Dopado S
Tipo de conducción: S-C-N
Pulido: una cara pulida
Resistividad: (1,8-2,0)x10^-3 ohm.cm
Movilidad: 1850-1870 cmE2/V.S
EPD: <2000 /cmE2
Concerntración portadora: (1,7-1,9) x10^18 /cm^3
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
Superficie y empaquetado listos para EPI
