MTI  |  SKU: IPUcB50D035C1US

InP-VGF cultivado (111)B no dopado, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-VGF cultivado (111)B no dopado, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

  • Oblea monocristalina de InP
  • Orientación: (111)B
  • Tamaño: 2" de diámetro x 0,35 mm
  • Dopaje: no dopado
  • Tipo conductor: Tipo N, semiconductor
  • Resistividad: (2-5)E-1 ohm.cm
  • Concentración de portadores:(3,0-6,0)E15 /c.c.
  • Mobility:3900-4570cm^2/v.s
  • Pulido: una cara pulida
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • EPD: N/A
  • Superficie y embalaje listos para EPI

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