LaAlO3, (100) Orn. 0.5" x 0.5mm wafer 2SP

LaAlO₃ proporciona una buena correspondencia reticular con muchos materiales con estructura de perovskita. Es un sustrato excelente para el crecimiento epitaxial de superconductores de alta Tc y películas finas magnéticas y ferroeléctricas. Las propiedades dieléctricas del cristal LaAlO3 son muy adecuadas para aplicaciones de microondas de bajas pérdidas y resonancia dieléctrica.

Especificaciones del sustrato:

• Tamaño de la oblea: 0,5" de diámetro +/- 0,5 mm x 0,5 de grosor +/-0,05 mm
• Orientación de la oblea: (100) +/-0,5 grados
• Orientación del borde: <100> +/-1 Deg con 4mm de longitud
• Pulido: CMP pulido con sub-superficie libre dañada
• Acabado superficial (RMS o Ra) : < 10A
• Embalaje: Bajo sala limpia de clase 1000, y en bolsa de plástico de grado 100 en contenedor de obleas.
• Constante de red a=3.792ŠPseudo cúbica )
• Advertencia: El cristal de LaAlO3 tiene una melladura visible en la superficie pulida, que es de naturaleza normal., por favor foto abajo
• 

Propiedades físicas típicas

Estructura cristalina

Pseudocúbico a=3.792Š

Método de crecimiento

Czochralski

Densidad

6,52 ^g/cm3

Punto de fusión

2080 ^oC

Expansión térmica

10 (^{x10-6/ oC})

Constante dieléctrica

~ 25

Tangente de pérdida a 10 GHz

^~3x10-4 @ 300K , ~0,6 ^x10-4 @77K

Color y aspecto

Transparente a marrón según las condiciones de recocido. Mellizos visibles en el sustrato pulido

Estabilidad química

Insoluble en ácidos minerales a 25 ^oCy soluble en H3PO3 a> 150 ^oC