MTI  |  SKU: SIPa76D05C1deg4R10

Si Wafer (100) 4 deg. off hacia (110), 3 "dia x 0.5 mm, 1 sp, tipo N, P dopado,R:10-30 ohm.cm - SIPa76D05C1deg4R10

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Si Wafer (100) 4 deg. off hacia (110), 3 "dia x 0.5 mm, 1 sp, tipo N, P dopado,R:10-30 ohm.cm - SIPa76D05C1deg4R10

MTI

  • Si monocristalino
  • Conductividad: Tipo N ( P dopado)
  • Resistividad: 10-30ohm-CM
  • Tamaño: 3" diámetro x 0,5 mm
  • Orientación: (100) 4 grados hacia (110)
  • Pulido: Una cara pulida
  • Rugosidad superficial: < 5A

Opcional: puede necesitar la herramienta de abajo para manejar la oblea ( haga clic en la imagen para pedir )

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