Si Wafer (100) 4 "dia x 0.525 mm 1SP, N Tipo P dopado Resistividades: 0,1-1 ohm-cm
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Si Wafer (100) 4 "dia x 0.525 mm 1SP, N Tipo P dopado Resistividades: 0,1-1 ohm-cm
MTI
- Si monocristalino
- Conductividad: Tipo N ( P dopado)
- Resistividad: 0,1-1 ohm-cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.) - Tamaño: 4" de diámetro x 0,525 mm
- Orientación: (100) +/- 0.5 Deg
- Pulido: Una cara pulida
- Rugosidad superficial: < 5A
Opcional: puede necesitar la herramienta de abajo para manejar la oblea ( haga clic en la imagen para pedir )
Espátula de diamante para cortar sustrato de cristal único - DS-01 | Rascador de microfibra y libre de polvo, 4 "x4", 100 uds/bolsa - Wiper-yx-2001 |


