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SIBe50D05C2R01
Si Wafer (110), 2" dia x 0.5 mm t, 2SP, tipo P/ B dopado, R:0.1-1.0ohm-cm
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Si Wafer (110), 2" dia x 0.5 mm t, 2SP, tipo P/ B dopado, R:0.1-1.0ohm-cm
MTI
- Silicio monocristalino
- Tipo conductor: Tipo P/ dopado con boro
- Resistividad: 0,1-1,0 ohm-cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.) - Tamaño: 50,8 diámetro +/- 0,5 mm x 0,5 +/- 0,025 mm
- Orientación: (110) +/- 1o
- Pulido: Pulido por las dos caras
- Rugosidad superficial: < 5A
Opcional: puede necesitar la herramienta de abajo para manejar la oblea ( haga clic en la imagen para pedir )
