MTI  |  SKU: SiBc101D0525C1deg4R1

Si Wafer (111) 4 +/- 0,5 grados off , 4 " dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades:1-10 ohm-cm

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Si Wafer (111) 4 +/- 0,5 grados off , 4 " dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades:1-10 ohm-cm

MTI

  • Si monocristalino,
  • Conductividad: Tipo P (B dopado)
  • Resistividad: 1-10 ohm-cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
    pida nuestro
    Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
  • Tamaño: 4" diámetro x 0.525 mm
  • Orientación: (111) 4 +/- 0,5 grados off
  • Pulido: Una cara pulida
  • Rugosidad de la superficie: < 5A

Opcional: usted puede necesitar la herramienta de abajo para manejar la oblea ( haga clic en la imagen para pedir )

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