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SiBc101D0525C1deg4R1
Si Wafer (111) 4 +/- 0,5 grados off , 4 " dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades:1-10 ohm-cm
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Si Wafer (111) 4 +/- 0,5 grados off , 4 " dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades:1-10 ohm-cm
MTI
- Si monocristalino,
- Conductividad: Tipo P (B dopado)
- Resistividad: 1-10 ohm-cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.) - Tamaño: 4" diámetro x 0.525 mm
- Orientación: (111) 4 +/- 0,5 grados off
- Pulido: Una cara pulida
- Rugosidad de la superficie: < 5A
Opcional: usted puede necesitar la herramienta de abajo para manejar la oblea ( haga clic en la imagen para pedir )
