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Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 100mm Dia x 0.46mm,1sp, Film: 1.0 um espesor

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Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 100mm Dia x 0.46mm,1sp, Film: 1.0 um espesor

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El silicio sobre zafiro (SOS) es un material heteroepitaxialheteroepitaxial para circuitos integradosde circuitos integrados que consiste en una fina capa (normalmente inferior a 0,6 micrómetros) de siliciosobre una capa de zafiro (Al2O3). El SOS forma parte del Silicio sobre aislante (SOI) de la familia TECNOLOGÍAS CMOS CMOS. SOS se utiliza principalmente en aeroespacial y militaresdebido a su inherente resistencia a la radiación.
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Obleas SOS (Silicio sobre Zafiro) ( DSP-Lados dobles pulidos)

Capa EPI de silicio:
  • Silicio Orientación: (100)
  • Tipo, Dopante: Tipo intrínseco, no dopado
  • Espesor del silicio: 1,0 um +/- 10%

  • Resistividad > 100 ohm.cm
  • Densidad de micropartículas ( para partículas > 2 um) < 2/cm^2
Oblea de zafiro:

  • Plano R -- (1-102) con un único plano
    Pureza: 99,996
  • Tamaño de la oblea: 100 mm de diámetro x 0,46 mm de grosor
  • Plano : Un plano 32.5mm +/-2.5mm, a 45+/- 1 deg CCW desde on
  • Superficie frontal: Epi-pulido (Ra < 4nm)
  • Superficie posterior: Esmerilado fino
  • TTV < 15 um, Arco < 20 um, Deformación < 20 um, Planitud (TIR) < 12 um, con marca láser en la cara posterior de la oblea, justo debajo del plano.



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