Lámina delgada de SiO2+Ti+Pt(111) sobre sustrato de Si ,4 "x0.525mm,1sp P-type B-doped,( SiO2=300nm,Ti=10nm ,Pt(111)=150nm)

Especificaciones de la oblea de silicio:

• Película: Película fina de SiO2+Ti+Pt(111) sobre sustrato de Si (100) (tipo P) ,4 "x0.525mm,1sp
  • SiO2=300nm
  • Ti=10nm
  • Pt(111)=150nm
• Resistividad: 1-20 ohm.cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  por favor pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
  
• Tamaño del sustrato: 4" de diámetro +/- 0,5 mm x 0,525 mm
• Pulido: una cara pulida
• Rugosidad de la superficie: < 20 A RMS
  
• Presupuesto térmico máximo de las obleas de SiO2/Si recubiertas con película de Pt/Ti: < 650-700 C/ 1 h en aire
• Opcional: puede necesitar la siguiente herramienta para manipular la oblea ( haga clic en la imagen para pedirla )