Oblea SOI: 6", 2,5 "m (dopado con P ) + 1,0 SiO2 + 625um Si (dopado con P /Boron )

Capa de dispositivos

Diámetro

6"

Tipo/Dopante:

Tipo N/dopado P

Orientación:

<1-0-0>+/-,5 grados

Espesor:

2,5±0,5µm

Resistividad:

1-4 ohm-cm

Acabado

Frente pulido

Óxido térmico enterrado:

Espesor:

1.0um +/- 0.1 um

Obleas de mango:

Tipo/Dopante

Tipo P, dopado con B

Orientación

<1-0-0>+/-,5 grados

Resistividad:

10-20 ohm-cm

Espesor:

625 +/- 15 um

Acabado:

Tal como se recibió (sin pulir)