MTI  |  SKU: IAUcA50D05C1US5

VGF-InAs (111)A, tipo N, no dopado, 2" de diámetro x 0,5mm, 1sp

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VGF-InAs (111)A, tipo N, no dopado, 2" de diámetro x 0,5mm, 1sp

MTI

  • Método de crecimiento VGF
  • Orientación (111)A ± 0.5 Deg
  • Orientación Planos (1-10) (001)
  • Dopado Sin dopar
  • Tipo de conductividad Tipo N
  • Concentración del portador (1-3)<span style="color: #000000; font-family: arial, helvetica, sans-serif; font-size: small; text-indent: -27.35pt;">E16 / cm -3
  • Movilidad >20000 cm2/V.S
  • EPD <15000 / cm 2
  • Resistividad: 1,3x10^-2 ohm.cm
  • Espesor estándar 500 ± 25 mm
  • Diámetro estándar 50,8± 0,5 mm
  • Pulido una cara



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