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Chiave dinamometrica per l'installazione della flangia HPV-LH CF - EQ-CFITQ

Instytut Fotonowy

Telecamera di impedenza per osservare l'evoluzione dell'impedenza nel tempo

Instytut Fotonowy

IMPS/IMVS per valutare il tempo di trasporto dei portatori, i tassi di ricombinazione e altre scale temporali

MTI

Cella analitica split test in situ con finestra per la ricerca e sviluppo di batterie al litio/zinco ad aria: Rivestimento Au opzionale - STC-ZINCAIR-W

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Monitor di spessore e velocità di deposizione di film sottili in situ con software e sensore opzionale, cristalli di quarzo - TM106-LD

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In2O3 (99,99%, 20-100 nm) Nanopolvere (25 g ) - NPIn2O3

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InAs (100), tipo P, drogato Zn 10x10 x 0,5 mm, un lato lucidato

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InAs (100), tipo P, drogato Zn diametro 2" x 0,5 mm, un lato lucidato - IAZna50D05C1US5

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InAs (100), drogato S 10x10x0,5mm, 1sp - IASa101005S1

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InAs (100), drogato S, diametro 2" x 0,5 mm, un lato lucidato, cc:(1-30)E17/ cm^3 - IASa50D05C1US

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InAs (100), non drogato 5x5x0,5mm, 1sp

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InAs (100), non drogato 10x10x0,45mm, 2sp

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InAs (100), non drogato 10x10x0,5mm, 1sp

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InAs (100), non drogato Ø 2" x 0,5 mm, un lato lucidato

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InAs (100), non drogato wafer di 30 mm di diametro 1sp - IAUa30D05C1US

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InAs (100), non drogato 5x5x0,45mm, 2sp

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InAs (100), non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, due lati lucidati

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InAs (111)A, tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp

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InAs (111)A, tipo P, drogato Zn 10x10 x 0,45 mm, un lato lucidato

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InAs (111)A, tipo P, drogato Zn diametro 2" x 0,45 mm, un lato lucidato