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Testa girevole in linea (fino a 3000 PSI) 1/4 "FPT x 1/4" MPT, 30 Max. RPM - IS-1430

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Volantini a corrugazione interna per YLJ24-60, MTI-YLJ24-WHEEL

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InP - (cresciuto in VGF), (111)A, drogato con S, wafer da 2" x 0,5 mm, 1sp - IPScA50D05C1US

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InP, metodo di crescita: VGF(100) drogato Zn, 3" x 0,625 mm, wafer, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (100) drogato S, wafer da 2 "x0,5 mm, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (100) drogato con Sn, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (111)A drogato Zn-, tipo P, wafer da 2 "x 0,35 mm, 1sp - IPZncA50D035C1US

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InP-(VGF- Grown) (111)B drogato con S, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante - IPFecA50D035C1US

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InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

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InP-VGF cresciuto (111)A non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-VGF cresciuto (111)B drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

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InP-VGF cresciuto (111)B non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-VGF- (100) drogato S, wafer 10x10x0,5mm, 2sp - IPSa101005S2US

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InSb (100) 10x10x 0,3 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucidato

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InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucidato

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InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato Ge, 1 lato lucidato

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InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato con Ge, lucidato su due lati

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InSb (100) 10x10x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 1 lato lucido

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InSb (100) 10x10x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 2 lati lucidati