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TGG Substrato a cristallo singolo: (111) 10 x 10 x. 0,5mm , 2 SP - TGGc1010S2

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L'O-Ring per la trappola a freddo per il recupero dei condensabili - EQ-CCT-OR-LD

Novonix

Thermal Chambers 16-position, 2A/10A

Novonix

Thermal Chambers 16-position, 2A/10A WRC*

Novonix

Thermal Chambers 4-position, 20A

Novonix

Thermal Chambers 4-position, 20A WRC*

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Sistema di evaporazione termica per wafer da 2" con 4 sorgenti e un regolatore di temperatura - GSL-1700X-EV4

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Isolamento termico per la copertura di riscaldamento del VTC100PA, 6" INCH

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Wafer di ossido termico, strato di SiO2 da 30 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:<0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di 100 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,50 mm t, tipo P, drogato B 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato SiO2 da 100 nm su Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, tipo N, drogato P, 1SP R: 0,1-1,0ohm.cm - Fm100SOonSIPa100D0525C1R01US

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Wafer di ossido termico: 100 nm SiO2 su Si (100), 10 x 10 x 0,5 mm, tipo N, drogato con As, 1SP, R: 0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: 100 nm SiO2 su Si (100), 5x5 x 0,5 mm, tipo N, drogato con As, 1SP, R: 0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 1000 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,525 mm t, tipo P, 1SP, R:1-20 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: 285nm SiO2 su Si (100), 10 x 10 x 0,5 mm, tipo N, drogato P 1SP, R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), Ø 100 mm x 0,5 mm t, tipo P, 1SP R:0,01-0,05 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:0,001-0,005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa50D05C

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (100), diametro 3 "x 0,50 mm t, tipo P, drogato B 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 3 "x 0,50 mm t, tipo N non drogato, 1SP R:>1000 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,5 mm t, tipo N, 1SP drogato di As, R:0,001-0,005 ohm.cm