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Isolamento termico per la copertura di riscaldamento del VTC100PA, 6" INCH

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Wafer di ossido termico, strato di SiO2 da 30 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:<0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di 100 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,50 mm t, tipo P, drogato B 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato SiO2 da 100 nm su Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, tipo N, drogato P, 1SP R: 0,1-1,0ohm.cm - Fm100SOonSIPa100D0525C1R01US

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Wafer di ossido termico: 100 nm SiO2 su Si (100), 10 x 10 x 0,5 mm, tipo N, drogato con As, 1SP, R: 0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: 100 nm SiO2 su Si (100), 5x5 x 0,5 mm, tipo N, drogato con As, 1SP, R: 0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 1000 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,525 mm t, tipo P, 1SP, R:1-20 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: 285nm SiO2 su Si (100), 10 x 10 x 0,5 mm, tipo N, drogato P 1SP, R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), Ø 100 mm x 0,5 mm t, tipo P, 1SP R:0,01-0,05 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:0,001-0,005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa50D05C

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (100), diametro 3 "x 0,50 mm t, tipo P, drogato B 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 3 "x 0,50 mm t, tipo N non drogato, 1SP R:>1000 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,5 mm t, tipo N, 1SP drogato di As, R:0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,5 mm t, tipo P, 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,5 mm t, tipo P, 2SP, R:1-10 ohm-cm - Fm300SOonSIBa100D0525C2R1US

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,50 mm t, tipo N, drogato P, 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4 "x 0,525 mm t, tipo N, drogato As 1SP, R:0,001-0,005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa100D0525C1US

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Wafer di ossido termico: Strato di 300 nm di SiO2 su Si (111), diametro 3 "x 0,50 mm t, tipo N, drogato P 1SP R:5-15 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (111), diametro 4" x 0,525 mm t, tipo N, drogato con Sb 1SP R: 0,01-0,02 ohm.cm - Fm300SOonSISbc101D0525C1R001

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, tipo N, drogato con Sb 1SP R: 0,01-0,02 ohm-cm - Fm300SOonSISba101D0525C1R001