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Forno fusorio compatto a crogiolo 1100C con controllore programmabile - KSL-1100X-SV-LD

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Forno fusorio compatto ad alto vuoto 1100C - KSL-1100X-HV

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Forno a muffola compatto 1100C (4 "x4 "x5") con regolatore di temperatura programmabile - KSL-1100X. Controllore - KSL-1100X-S

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Forno verticale ad alta pressione a doppia zona 1100C con tubo in superlega - OTF-1200X-HP-70-V

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Forno a tubi oscillanti ad alta pressione 1100C con tubo di lavorazione in superlega da 2" - OTF-1200X-HPR-III

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Forno tubolare a idrogeno 1100C con tubo al quarzo da 5" con sistema di rilevamento H2 - OTF-1200X-S5-H2

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Forno tubolare a idrogeno 1100C con tubo al quarzo da 60 mm/80 mm con sistema di rilevamento H2 - OTF-1200X-II-H2

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Forno a muffola grande 1100C (16 x 16 x 16", 64 L) con controller digitale e porta di sfiato - KSL-1200X-L

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Forno a vuoto verticale 1100C Max con flangia (camera al quarzo da 8" OD) - VBF-1200X-V9

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1100C Max. Verniciatore a immersione o crescita Bridgman con tubo da 2" controllato in atmosfera - PTL-HT

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Forno rotativo PE-HPCVD 1100C con evaporatore in situ, MFC a 4 canali e pompa per vuoto - OTF-1200X-S-II-PEC4

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Forno rotativo PECVD 1100C con pompa a vuoto - OTF-1200X-S-II-PECVD

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Forno a tubo di quarzo 1100C (diametro 2") con calibratore di temperatura e pompa a vuoto - GSL-1100X-50-LVT-LD. Calibratore di temperatura e pompa per vuoto - GSL-1100X-50-LVT-LD

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Forno tubolare 1100C a tre zone ad alta pressione e alto vuoto con tubo in superlega - OTF-1200X-III-HP-80

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Forno tubolare ad alta pressione superlega a tre zone 1100C con controllo del flusso di gas - OTF-1200X-HP-III-80-GF

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Forno tubolare 1100C con flangia sottovuoto (zona di calore da 12") e regolatore di temperatura programmabile - GSL-1100X-LD

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Forno a vuoto con caricamento dal basso a 1100°C (8,6" ID, 7,6 litri) - VBF-1200X-E8

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Forno fusorio a crogiolo a 1100°C con funzione di agitazione per glovebox - KSL-1100X-SV-RM

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Forno tubolare a doppia zona a 1100°C Tubo al quarzo da 11" e flange sotto vuoto opzionali (zona di riscaldamento da 24") - GSL-1100X-II-11

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Forno di crescita di cristalli per epitassia in fase liquida a 1100°C ad alta pressione (1,2 MPa) e sistema Glove Box - HP1100X-LPEGB