Forno di crescita di cristalli per epitassia in fase liquida a 1100°C ad alta pressione (1,2 MPa) e sistema Glove Box - HP1100X-LPEGB
Impossibile caricare la disponibilità del ritiro
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
Forno di crescita di cristalli per epitassia in fase liquida a 1100°C ad alta pressione (1,2 MPa) e sistema Glove Box - HP1100X-LPEGB
MTI
HP1100X-LPEGB combina un forno per la crescita di cristalli per epitassia in fase liquida con un sistema di glove box, che consente l'installazione e la rimozione di accessori per la crescita di cristalli per epitassia in fase liquida sotto protezione di atmosfera inerte. Può anche realizzare la crescita epitassiale in fase liquida in condizioni di alta pressione, con una pressione massima di 1,2 MPa (a 700°C). È un'apparecchiatura ideale per la crescita epitassiale in fase liquida di HgCdTe (MCT) e altri film sottili.
Specifiche tecniche
Struttura |
|
Potenza |
|
Elemento riscaldante |
|
Temperatura di lavoro |
|
Zona di riscaldamento |
|
Produzione |
|
Camera ad alta pressione |
|
Sistema Glove Box |
|
Sistema di controllo della temperatura e della pressione |
|
Sistema del vuoto |
|
Dimensioni |
|
Peso |
|
Note applicative |
|