Cu Epi Film on Si

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Film di Cu su wafer di Ta/SiO2/Silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped5x5x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp